Caracterización óptica mediante la técnica de fotoluminiscencia de Silicio Posoro

Medina Herrera, Andrés

DGA. Monografías, Tesis y Trabajos de Grado · 2017

Caracterización óptica mediante la técnica de fotoluminiscencia de Silicio Posoro

Medina Herrera, AndrésAsesor: Universidad del Quindío - Colombia - Directora - Liliana Tirado Mejía PhD. · Universidad Nacional Autónoma de México - Codirector - Mario Enrique Rodríguez G. PhD.

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Resumen

Porous silicon shows an efficient luminescence on the visible range at room temperature, unlike crystalline silicon which has a low radiant recombination efficiency due to the indirect energy band gap. The emission mechanisms of the porous silicon have not been explained yet, although they have been mentioned in different theories; among the most accepted is the emission due to transitions between quantic confinement states and the emission due to the transitions that occur in the oxide layer (SiOx) present on the surface taking into account the increase in the surface area.

Handle: Uniquindío/20.500.14550/4577
Acceso: Acceso metadatos
Texto: no disponible
Tipo: Trabajo de grado - Maestría
Título: Magíster en Ciencias de los Materiales
Escuela: Ciencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materiales
Departamento
Sede: sin dato
Idioma: español

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APA 7

Medina Herrera, A. (2017). Caracterización óptica mediante la técnica de fotoluminiscencia de Silicio Posoro [Tesis de maestría, Universidad del Quindío]. Repositorio institucional. https://hdl.handle.net/20.500.14550/4577

ICONTEC

MEDINA HERRERA, Andrés. Caracterización óptica mediante la técnica de fotoluminiscencia de Silicio Posoro. Tesis de maestría. Armenia: Universidad del Quindío, 2017. Disponible en: https://hdl.handle.net/20.500.14550/4577

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